近日，由重庆笨瓜科技有限公司与韩国爱拓科技（ATO）研发团队共同投资建设的中低容量闪存（NAND Flash）研发基地在西部（重庆）科学城正式成立。
该项目计划总投资1亿元，预计2021-2022年，可实现28纳米
1GB/2GB/4GB存储芯片，首次全掩膜（Full Mask）工程流片，2023-2025年，建设测试线和封装生产线。 据了解，重庆笨瓜科技有限公司依托鑫龙科技集团研发资源和产业链优势，致力于通讯类、物联网模块产品的研发、制造、销售及服务。公司设有研发中心、生产中心（SMT组装事业部、整机组装事业部、智能穿戴），主要聚焦在智能穿戴、智能手机方案研发。
韩国爱拓科技（ATO）研发团队则是一家来自于SK Hynix、SMIC、ISSI等业内主流存储器企业或存储器代工企业，涵盖了IC设计、Layout、芯片测试等主要环节，有8位在存储器领域，从业20年以上的资深行业专家。
其SLC Nand Flash产品，在国内市场具备较高的知名度。有众多客户群体其中不乏小米、海康威视等国内知名终端及整机系统企业。
上游新闻·重庆商报记者 郭欣欣
【免责声明】上游新闻客户端未标有“来源：上游新闻-重庆晨报”或“上游新闻LOGO、水印的文字、图片、音频视频等稿件均为转载稿。如转载稿涉及版权等问题，请与上游新闻联系。
举报
