新华网消息，4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在实验室内合影。近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前U盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。
这一创新解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。图为4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。
4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将硅片放入仪器。
4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将清洗好的硅片放入容器内。
4月11日，复旦大学微电子学院教授周鹏教授在硅片上生长金属电极。
4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行切割。
4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。
4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内清洗硅片（拼版照片）。
原标题：中国科学家开创第三类存储技术 速度比U盘快1万倍
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